產(chǎn)品[
抗干擾開發(fā)系統(tǒng)
]資料
產(chǎn)品名稱:
抗干擾開發(fā)系統(tǒng)
產(chǎn)品型號:
E1
產(chǎn)品展商:
艾仕歐
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
簡單介紹
大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群（Burst）和靜電放電（ESD）等項目的標準測試。測試時，把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部，同時監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒有通過這些標準的測試，測試本身幾乎不能提供任何如何解決問題的信息。?
E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)能采用不同的方式，向電子模塊直接注入干擾電流、電場和磁場，在設(shè)備內(nèi)部仿真干擾的過程，以定位電路板上電磁薄弱點，理解耦合機理，完成優(yōu)化后的設(shè)計修改。
E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)不能按照某個標準進行兼容性測試。所以建議先對被測物進行標準的抗干擾測試（必要的話，在EMC實驗室進行測試），然后對可能的故障原因進行分析，再利用E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)來找出更多的故障原因，并利用E1在產(chǎn)品開發(fā)場地進行設(shè)計修改的評估。
抗干擾開發(fā)系統(tǒng)
的詳細介紹
E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)包含SGZ21突發(fā)脈沖發(fā)生器，SGZ21能產(chǎn)生連續(xù)的類似于Burst或者ESD的干擾脈沖，脈沖的上升沿時間為2ns，下降沿時間為約10ns。這些脈沖包含的能量比2/50ns的Burst脈沖【根據(jù)EN 61000-4-4】或ESD【根據(jù)EN 61000-4-2】脈沖小，因此能在不損壞被測設(shè)備的情況下，把干擾直接耦合到電子模塊內(nèi)。由于SGZ21產(chǎn)生的脈沖，上升沿時間短，峰值電壓也比較低，所以這些干擾對被測設(shè)備的影響，是和EN 61000-4-4的Burst脈沖的影響類似的。
E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)中SGZ21脈沖的幅度是連續(xù)變化的。峰值在0－1500V之間，是按統(tǒng)計平均分布的。利用這種方法，配合傳感器能對模塊進行特別快速的抗干擾性能評估（脈沖率測試法－見2.5節(jié)），為此，發(fā)生器內(nèi)置了一個帶光纖（2.2mm塑料光纖）輸入的計數(shù)器。
同時SGZ21采用電氣隔離（無PE參考）的對稱輸出。干擾脈沖能被容性耦合，極性可變。這樣，就能采用各種耦合方式，例如：
－把發(fā)生器的輸出直接連接到被測物的GND系統(tǒng)上，把干擾電流直接注入到GND系統(tǒng)。 －把干擾電流注入到GND，然后從VCC返回。
－干擾電流可以注入到變壓器、分配器或者光耦的初級，從次級返回（在工作電壓大于42V時，對SGZ21要有相應(yīng)的保護）
連接到發(fā)生器的場源，可以很好的定位被測設(shè)備的臨界結(jié)構(gòu)。
E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)利用場源，把burst信號轉(zhuǎn)換為很小區(qū)域的磁場或者電場，可以注入到被測設(shè)備內(nèi)部很小的區(qū)域內(nèi)，或者單根電纜上。從而準確定位被測設(shè)備內(nèi)部電磁敏感點的位置。
不同的電路結(jié)構(gòu)，可能會對磁場敏感，也可能會對電場敏感。E1中的場源，有的是產(chǎn)生磁場的，有的是產(chǎn)生電場的，這樣可以確認EUT是對哪種類型的干擾場敏感。場源和SGZ21的連接方法見圖5。除了場源能產(chǎn)生干擾場之外，連接電纜也會把干擾耦合到EUT并影響測量結(jié)果。所以，電纜應(yīng)該盡可能放置得離EUT遠一些。
